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IRFZ48VSPbF
Electrical Characteristics @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min.
Typ.
Max. Units
Conditions
V (BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
60
–––
––– V V GS = 0V, I D = 250μA
? V (BR)DSS / ? T J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
–––
0.064
–––
V/°C
Reference to 25°C, I D = 1mA
R DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
–––
–––
12.0 m ?
V GS = 10V, I D = 43A
?
V GS(th)
g fs
I DSS
I GSS
Q g
Q gs
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
Drain-to-Source Leakage Current
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
2.0
35
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
4.0 V V DS = V GS , I D = 250μA
––– S V DS = 25V, I D = 43A ?
25 V DS = 60V, V GS = 0V
μA
250 V DS = 48V, V GS = 0V, T J = 150°C
100 V GS = 20V
nA
-100 V GS = -20V
110 I D = 72A
29 nC V DS = 48V
––– R G = 9.1 ?
Q gd
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
–––
–––
–––
–––
–––
–––
7.6
200
157
166
36 V GS = 10V, See Fig. 6 and 13
––– V DD = 30V
––– I D = 72A
ns
––– R D = 0.34 ? , See Fig. 10 ?
?
L D
L S
Internal Drain Inductance
Internal Source Inductance
–––
–––
4.5
7.5
–––
–––
nH
Between lead,
6mm (0.25in.)
from package
and center of die contact
G
D
S
C iss
C oss
C rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
–––
–––
–––
1985
496
91
––– V GS = 0V
––– V DS = 25V
––– pF ? = 1.0MHz, See Fig. 5
Source-Drain Ratings and Characteristics
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
A
integral reverse
I S
I SM
V SD
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode) ?
Diode Forward Voltage
MOSFET symbol
––– ––– 72
showing the
G
––– ––– 290
p-n junction diode.
––– ––– 2.0 V T J = 25°C, I S = 72A, V GS = 0V ?
D
S
t rr
Q rr
t on
Notes:
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Forward Turn-On Time
––– 70 100 ns T J = 25°C, I F = 72A
––– 155 233 nC di/dt = 100A/μs ?
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L S +L D )
? Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature. ( See fig. 11 )
? Starting T J = 25°C, L = 64μH
R G = 25 ? , I AS = 72A. (See Figure 12)
2
? I SD ≤ 72A , di/d t ≤ 151A/μs, V DD ≤ V (BR)DSS ,
T J ≤ 175°C
? Pulse width ≤ 300μs; duty cycle ≤ 2%.
www.irf.com
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